用導(dǎo)電原子力顯微鏡研究鍺硅量子點(diǎn)和量子環(huán)的
日期：2020-11-28 瀏覽：
以半導(dǎo)體量子點(diǎn)為代表的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)在光電子、微電子和單電子器件領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景,在硅襯底上自組織生長的GeSi量子點(diǎn)由于與成熟的硅集成電路工藝兼容而更具有特殊的意義,是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)之一。而量子點(diǎn)的量子物理特性是構(gòu)筑許多納米電子器件及單電子器件的基礎(chǔ),因而在納米尺度上研究單個(gè)量子點(diǎn)的電學(xué)性質(zhì)極為重要。導(dǎo)電原子力顯微鏡(CAFM)是近年來發(fā)展起來的一種掃描探針顯微鏡,它能同時(shí)得到樣品表面納米尺度的形貌信息和電學(xué)信息。因而CAFM可以用來表征單個(gè)量子點(diǎn)的微結(jié)構(gòu)及其物理特性,從而為材料的控制生長和應(yīng)用提供依據(jù)。本論文使用CAFM研究了自組織生長的GeSi量子點(diǎn)和GeSi量子環(huán)的形貌和電學(xué)性質(zhì),主要取得了以下結(jié)果:1、研究了樣品表面的自然氧化物對量子點(diǎn)電學(xué)性質(zhì)的影響。通過分析I-V特性曲線,根據(jù)針尖與量子點(diǎn)之間自然氧化物的存在與否將針尖與量子點(diǎn)間的接觸分為兩種類型
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